| 衬底温度对CZTSSe薄膜结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 冯少君,薛玉明,刘浩,宋殿友,夏丹,孙海涛,李鹏宇,乔在祥. 衬底温度对CZTSSe薄膜结构特性的影响[J]. 光电子．激光, 2017, 28(3): 285-289 |
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| 作者姓名： | 冯少君 薛玉明 刘浩 宋殿友 夏丹 孙海涛 李鹏宇 乔在祥 |
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| 作者单位： | 天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津电源研究 所,天津 300381 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划项目(2012AA050701)和天津市高等学校大学生创新创业训练计划(201410060018,201410060036)资助项目 (1.天津理工大学 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384; 2.天津电源研究 所,天津 300381) |
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| 摘 要： | 采用热蒸发法制备铟锌锡硫(CZTSSe)薄膜。采用低 温一步 法在300℃衬底温度下制备CZTSSe薄膜；采用两步法,即在衬底温度 分别为300℃制备CZTSSe 薄膜；将衬底温度设定为480℃不变,一步蒸发沉积CZTSSe薄膜。通 过对X射线衍射(XRD)、 扫描电镜(SEM)、拉曼谱对比发现,在300℃低温下一步法和300℃ 、480℃两 步法沉积的薄膜表面粗糙,碎小晶粒较多；在480℃一步高温法制备 的薄膜表面平整, 晶粒大小均匀,3个衍射峰的半高峰宽变窄,薄膜的结晶质量得到 改善,且没有发现其它杂相的拉曼特征峰,沉积出适合作为制备CZTSSe薄膜太阳电池的 吸收层。
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| 关 键 词： | 铜锌锡硫(CZTSSe) 衬底温度 太阳电池 结构特性 薄膜 |
| 收稿时间： | 2015-11-17 |
Influences of substrate temperature on structural properties of CZTSSe thin films |
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| FENG Shao-jun,XUE Yu-ming,LIU Hao,SONG Dian -you,XIA Dan,SUN Hai-tao,LI Peng-yu and QIAO Zai-xian g. Influences of substrate temperature on structural properties of CZTSSe thin films[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2017, 28(3): 285-289 |
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| Authors: | FENG Shao-jun XUE Yu-ming LIU Hao SONG Dian -you XIA Dan SUN Hai-tao LI Peng-yu QIAO Zai-xian g |
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| Affiliation: | Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Key Laboratory of Film Eletron ic & Communication Devices,School of Electronics Information Engineer,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384,China;Tianjin Institute of Power Sources,Tianjin 300381,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CZTSSe substrate temperature solar cell structural property thin film |
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