首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现
引用本文:张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬.数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现[J].半导体学报,2005,26(7):1424-1427.
作者姓名:张有涛  夏冠群  李拂晓  高建峰  杨乃彬
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 上海200050南京电子器件研究所,南京210016,上海200050,南京210016,南京210016,南京210016
摘    要:详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAs Φ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化,达到1.2Gbps的输出码流速率,其瞬时带宽可达150MHz,具备±0.22LSB的相位精度.

关 键 词:相位数字化  模数转换器  MESFET  比较器  数字射频存储器
文章编号:0253-4177(2005)07-1424-04
收稿时间:2004-09-26
修稿时间:2004-12-14

Design and Implementation of a High-Speed 3bit GaAs Phase ADC for DRFM
Zhang Youtao,Xia Guanqun,Li Fuxiao,GAO Jianfeng,Yang Naibin.Design and Implementation of a High-Speed 3bit GaAs Phase ADC for DRFM[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(7):1424-1427.
Authors:Zhang Youtao  Xia Guanqun  Li Fuxiao  GAO Jianfeng  Yang Naibin
Abstract:
Keywords:phase digitizing  ADC  MESFET  comparator  DRFM
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号