首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究
引用本文:周进 茹国平 等. 氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(4): 291-295
作者姓名:周进 茹国平 等
作者单位:1. 复旦大学电子工程系,中国科学院上海技术物理研究所
2. 中国科学院上海技术物理研究所
摘    要:报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法。采用离子束溅射V2O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜VOx(x<2.5)。对不同温度退火后氧化钒薄膜在10-100℃范围内测定了薄层电阻随温度的变化,得到的电阻温度系数(TCR)值为(-1~-4)%K^-1。研究结果表明通过这种方法可在较低温度下制备氧化钒薄膜,这种薄膜具有较低的电阻率和较高的TCR值,可作为非致冷红外微测辐射热计的热敏材料。

关 键 词:氧化钒 非致冷红外微测辐射热计 离子束溅射 电阻温度系数 氮氢退火 热敏薄膜

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF THERMALLY SENSITIVE VANADIUM OXIDE FILMS
ZHOU Jin, RU Guo Ping, LI Bing Zong, LIANG Ping Zhi. PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF THERMALLY SENSITIVE VANADIUM OXIDE FILMS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(4): 291-295
Authors:ZHOU Jin   RU Guo Ping   LI Bing Zong   LIANG Ping Zhi
Abstract:A new method of preparation of vanadium oxide films was reported.A thin VO x(x<2.5) film with good thermal sensitivity was prepared by ion beam sputtering of a V 2O 5 powder target and with a subsequent reduction annealing in mixing gas of N 2+H 2. The VO x(x<2.5) film has a negative temperature coefficient of resistance (TCR) of (-1~-4)%K -1 ,and an activation energy of 0.078eV~0.110eV. The relatively high TCR as well as low formation temperature shows that the film prepared by the new method is promising for application as thermal sensor material in an uncooled IR microbolometer.
Keywords:vanadium oxide   uncooled IR micro bolometer   ion beam sputtering   TCR   reduction annealing.  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号