| N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究 |
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| 引用本文： | 任红霞,郝跃,许冬岗.N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究[J].物理学报,2000,49(7):1241-1248. |
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| 作者姓名： | 任红霞 郝跃 许冬岗 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安 710071 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项基金! (批准号 :80 70 110 ) |
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| 摘 要： | 用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热载流 子特性及其对器件性能所造成的损伤，并与相应常规平面器件进行了比较，同时用器件内部 物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释.结果表明槽栅器件对热载流 子效应有明显的抑制作用，但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感.
关键词：
槽栅MOSFET
热载流子效应
界面态
特性退化
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| 关 键 词： | 槽栅MOSFET 热载流子效应 界面态 特性退化 |
| 收稿时间： | 1999-07-25 |
| 修稿时间： | 1/9/2000 12:00:00 AM |
STUDY ON HOT-CARRIER-EFFECT FOR GROOVED-GATE N-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR |
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| Ren Hong-xia,Hao Yue,Xu Dong-gang.STUDY ON HOT-CARRIER-EFFECT FOR GROOVED-GATE N-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR[J].Acta Physica Sinica,2000,49(7):1241-1248. |
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| Authors: | Ren Hong-xia Hao Yue Xu Dong-gang |
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| Abstract: | In this paper,the hot\|carrier effect in grooved gate NMOSFET and the device degradation induced by it were simulated using device simulator MEDICI,and compared with those of counter conventional planar device.The hot\|carrier effect and the device degradation were explained using the distribution of some internal physical parameters.The simulation results indicated that hot\|carrier effect was strongly suppressed in grooved gate MOSFET,while grooved gate MOS FET's performance was sensitive to hot carrier. |
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| Keywords: | grooved\|gate MOSFET hot\|carrier\|effect interface state performance degradation |
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