| 热处理对射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4薄膜电学和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 彭栋梁,蒋生蕊,王万录.热处理对射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4薄膜电学和光学性质的影响[J].太阳能学报,1992(3). |
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| 作者姓名： | 彭栋梁 蒋生蕊 王万录 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系 兰州 730000，兰州 730000，兰州 730000 |
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| 摘 要： | 射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10~(26)m~(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。
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| 关 键 词： | 射频反应性溅射 Cd-Sn合金靶 热处理 |
THE EFFECT OF HEAT TREATMENT ON THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Cd_2SnO_4 FILMS DEPOSITED BY RF REACTIVE SPUTTERING FROM A Cd-Sn ALLOY TARGET |
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| Peng Dong-liang Jiang Sheng-rui Wang Wan-lu.THE EFFECT OF HEAT TREATMENT ON THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Cd_2SnO_4 FILMS DEPOSITED BY RF REACTIVE SPUTTERING FROM A Cd-Sn ALLOY TARGET[J].Acta Energiae Solaris Sinica,1992(3). |
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| Authors: | Peng Dong-liang Jiang Sheng-rui Wang Wan-lu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF reactive sputtering Cd-Sn alloy target heat treatment |
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