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基于主动激励的硅通孔内部缺陷分类识别
引用本文:聂磊,刘江林,于晨睿,骆仁星,张鸣.基于主动激励的硅通孔内部缺陷分类识别[J].电子元件与材料,2023(12):1521-1528.
作者姓名:聂磊  刘江林  于晨睿  骆仁星  张鸣
作者单位:1. 湖北工业大学机械工程学院
基金项目:国家自然科学基金(51975191);
摘    要:硅通孔(TSV)三维封装因其独特的工艺而备受关注,然而内部缺陷的检测一直是限制其进一步发展的难题。主动红外热成像技术是一种新型无损检测方法,具有无接触、高效率等优点,为实现对TSV内部典型缺陷的识别与分类,提出了一种基于激光加热主动激励的TSV内部缺陷分类识别方法。以激光为辐射热源,充分激发TSV内部缺陷,通过理论与仿真分析,掌握不同内部缺陷在主动激励下的外部温度分布表现规律;建立卷积神经网络模型,通过对外部温度分布结果的训练,实现内部缺陷的分类识别。通过试验证明,该方法对典型TSV内部缺陷具有良好的识别能力,识别准确率可达97.12%。利用主动红外热成像检测方法实现了对TSV内部缺陷的有效检测,为三维封装缺陷检测提供了一种快速有效的方法。

关 键 词:硅通孔  内部缺陷  主动激励  分类识别
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