In掺杂CdO透明导电薄膜的研究 |
| |
引用本文: | 冯绍文,刘少煜,祝巍.In掺杂CdO透明导电薄膜的研究[J].太阳能学报,2018,39(3):769-774. |
| |
作者姓名: | 冯绍文 刘少煜 祝巍 |
| |
作者单位: | 中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心 |
| |
摘 要: | 通过磁控射频溅射的方法分别在石英玻璃基底上和硅111基底上沉积In掺杂CdO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪测试薄膜的结构、光学和电学性能。一定量的In掺杂可将CdO的光学吸收边从2.2 eV提高至3.4 eV,甚至更高。同时适量的In掺杂可明显改善CdO薄膜的电学性能,在提高其电子浓度的同时也降低电阻率,获得最低5.8×10~(-5)Ω?cm的电阻率,同时吸收边为3.24 eV的透明导电薄膜。In掺杂的CdO薄膜作为一种性能良好的薄膜材料有较好的发展前景。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《太阳能学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《太阳能学报》下载全文 |
|