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SiO2—TiC陶瓷复合材料的制备与特性
作者姓名:张其土
摘    要:以SiO2作为经缘的高膨胀性基体材料,并以TiC作为导电性粒子,经1150-1350℃烧结3h制得SiO2-TiC陶瓷复合材料。研究结果表明,当TiC的质量百分数在20%-32%之间时,其室温电阻率发生急剧变化,变化程度达10^3-10^6Ω.cm.

关 键 词:陶瓷复合材料 方石英 石英 碳化钛 PTC材料
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