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| ZnMgSSe／GaAs薄膜的分子束外延生长及其特性研究 | |
| 引用本文： | 诸长生,俞根才,陈良尧,王杰,王迅.ZnMgSSe／GaAs薄膜的分子束外延生长及其特性研究[J].半导体学报,1995,16(12):901-904. |
| 作者姓名： | 诸长生 俞根才 陈良尧 王杰 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系 |
| 摘 要： | 我们用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长一种新型的Ⅱ－Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ．改变生长条件，可以控制Ｍｇ和Ｓ的组分在０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１．Ｍｇ和Ｓ的组分用俄歇电子能谱测定．用Ｘ－射线衍射技术对样品结构进行的研究发现，对任意Ｍｇ和Ｓ的组分，ＺｎＭｇＳＳｅ均为闪锌矿结构．用椭圆偏振光谱仪对材料的能隙和折射率进行的研究表明，加入Ｍｇ以后ＺｎＭｇＳＳｅ样品的折射率比ＺｎＳＳｅ样品的折射率要小，并且ＺｎＭｇＳＳｅ样品的折射率随民的增大而变小．合理选择ｘ、ｙ，在２．８ｅＶ＜Ｅｇ＜ |
| 关 键 词： | ZnMgSSe 砷化镓 薄膜 分子束外延生长 |
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