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ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究
引用本文:方泽波,朋兴平,谭永胜,何志巍,王印月. ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究[J]. 稀有金属, 2004, 28(3): 502-504
作者姓名:方泽波  朋兴平  谭永胜  何志巍  王印月
作者单位:兰州大学物理系,甘肃,兰州,730000
基金项目:甘肃省自然科学基金 (ZS0 11 A2 5 0 5 0 C)资助项目
摘    要:用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0~80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。

关 键 词:ZnO  RF溅射  透明导电薄膜
文章编号:0258-7076(2004)03-0502-03
修稿时间:2003-09-15

Characteristics and Preparation of Transparent Conductive ZnO∶Tb Films
Fang Zebo,Peng Xinping,Tan Yongsheng,Wang Yinyue. Characteristics and Preparation of Transparent Conductive ZnO∶Tb Films[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2004, 28(3): 502-504
Authors:Fang Zebo  Peng Xinping  Tan Yongsheng  Wang Yinyue
Affiliation:Fang Zebo,Peng Xinping,Tan Yongsheng,Wang Yinyue~*
Abstract:
Keywords:ZnO films  RF actively sputtering  transparent conductive films
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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