| 纳米AlN分散的Bi_(85)Sb_(15)低温热电性能研究 |
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| 引用本文： | 辛彩妮,韩叶茂,宋春梅,赵杰,周敏,李来风,黄传军.纳米AlN分散的Bi_(85)Sb_(15)低温热电性能研究[J].低温工程,2014(3). |
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| 作者姓名： | 辛彩妮 韩叶茂 宋春梅 赵杰 周敏 李来风 黄传军 |
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| 作者单位： | 中国科学院理化技术研究所航天低温推进剂技术国家重点实验室;中国科学院大学;遵义师范学院;中国科学院理化技术研究所中国科学院低温工程学重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.51232004);航天低温推进剂技术国家重点试验室基金(SKLTSCP1202)项目资助 |
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| 摘 要： | 利用机械合金(MA)和放电等离子(SPS)烧结方法,制备出Bi85Sb15/x mol%AlN(x=0,0.1,0.2,0.3)块体材料。在77—300 K温区内,测试了块体材料的电导率、Seebeck系数、霍尔系数和热导率,并由此计算出材料的zT值。结果表明:纳米AlN分散的Bi85Sb15材料,随着AlN含量的增加,样品的迁移率升高,从而明显提高材料的电导率,但Seebeck系数绝对值呈减小趋势。适量的纳米AlN的引入可以形成散射中心,增加对声子的散射作用,降低热导率。当基体Bi85Sb15中加入0.1mol%AlN时,其zT值在250 K取得最大值~0.32,比基体在此温度下的zT值提高了45%。
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| 关 键 词： | BiSb材料 纳米AlN 热电性能 |
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