基于微结构阵列基板的高效顶发射OLED器件

为了提高顶发射OELD的效率,降低电压,基于纳秒激光刻蚀技术制备了一种用于顶发射OLED的低成本可重复的方形微结构阵列基板,在此基础上制备了顶发射OLED器件。实验发现,利用这种基板可以有效提高器件的出光效率,降低器件的驱动电压。其中,使用20μm的方格微结构阵列基板的器件的最高效率达到66.7cd/A,40mA/cm~2下亮度达到20 103cd/m~2,相比于未经刻蚀的无结构器件分别提高9.8%和6.9%;而使用40μm的方格微结构阵列基板的器件驱动电压最低,在40mA/cm~2下为9.58V,相较未经刻蚀的无结构器件降低了0.26V。分析表明,器件光效的提升和驱动电压的降低主要有两点原因:首先由于基于微结构阵列基板制备的器件中存在褶皱结构,可以破坏器件的光波导,并且增大了器件面积而降低驱动电压;其次纳秒激光刻蚀产生的光栅条纹可以提高光提取效率,同时增强局部电场以提高电极的载流子注入能力。