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钼掺杂降低TiO2氧敏薄膜最佳工作温度研究
引用本文:程东升,孙以材,潘国锋,袁育杰.钼掺杂降低TiO2氧敏薄膜最佳工作温度研究[J].传感器与微系统,2006,25(7):15-17.
作者姓名:程东升  孙以材  潘国锋  袁育杰
作者单位:河北工业大学,信息工程学院,天津,300130
摘    要:用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜.并进行1100℃,2h的退火处理.配置钼酸铵溶液,利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间.取出后,进行500℃,3h退火处理.用气敏测试箱对制备出的TiO2薄膜的氧敏特性进行试验测试,发现对氧气有很好的敏感特性,比未经此项工艺处理的TiO2薄膜的最佳工作温度降低100℃,为300℃左右,并进行SEM测试,分析其表面结构,研究气敏机理.

关 键 词:TiO2薄膜  钼酸铵  最佳工作温度  氧敏特性  钼掺杂  氧敏薄膜  最佳  工作温度  研究  doping  thin  films  temperature  operating  best  气敏机理  表面结构  分析  试验测试  温度降  工艺处理  敏感特性  氧气  发现  氧敏特性
文章编号:1000-9787(2006)07-0015-03
收稿时间:2005-10-29
修稿时间:2005年10月29日

Research on reducing best operating temperature of TiO2 thin films through doping Mo
CHENG Dong-sheng,SUN Yi-cai,PAN Guo-feng,YUAN Yu-jie.Research on reducing best operating temperature of TiO2 thin films through doping Mo[J].Transducer and Microsystem Technology,2006,25(7):15-17.
Authors:CHENG Dong-sheng  SUN Yi-cai  PAN Guo-feng  YUAN Yu-jie
Affiliation:Institute of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China
Abstract:
Keywords:TiO2 thin films  ammonium molybdate  best operating temperature  oxygen-sensing properties
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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