| 接近式光刻图形失真的部分相干光理论分析 |
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| 引用本文： | 李木军,沈连婠,郑津津,赵玮,李晓光,刘雳頲.接近式光刻图形失真的部分相干光理论分析[J].纳米技术与精密工程,2007,5(3):224-229. |
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| 作者姓名： | 李木军 沈连婠 郑津津 赵玮 李晓光 刘雳頲 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;中国科学院"百人计划" |
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| 摘 要： | 光刻过程中由于光的衍射效应产生的非线性畸变对光刻面形质量具有严重影响，是造成光刻微结构图形失真的主要原因之一，为此，研究了接近式紫外光刻中部分相干光的传播过程，建立了相应的光刻理论模型，对光刻成像中的误差产生机理进行分析．该模型综合考虑光源和照明系统对掩模微结构附近光场相干性的影响，将光刻模拟分为3部分．首先根据VanCittert-Zernike定理确定了光源经扩束准直系统传播到蝇眼透镜入射面时光场上任2点的互强度．然后应用部分相干光的传播理论，由Hopkins公式得到部分相干光经蝇眼透镜传播到掩模平面后其上任一点对的复相干度的分布规律．最后根据互强度传播定律，分析从掩模面到光刻胶表面的衍射效应，得到光刻胶表面的光强分布及变化规律，并且通过误差的仿真分析模拟得到光刻胶图形轮廓．结果表明，理论模拟结果与实验较为吻合．该方法能准确地得到衍射光场的分布，进行光刻误差分析，从而能较好地发现曝光图形缺陷．
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| 关 键 词： | 接近式紫外光刻 部分相干光 复相干度 霍普金斯公式 图形失真 |
| 文章编号： | 1672-6030（2007）03-0224-06 |
| 修稿时间： | 2007-02-14 |
Theoretical Analysis of Pattern Distortion in Proximity Lithography Based on Partial Coherent Light Theory |
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| LI Mu-jun,SHEN Lian-guan,ZHENG Jin-jin,ZHAO Wei,LI Xiao-guang,LIU Li-ting.Theoretical Analysis of Pattern Distortion in Proximity Lithography Based on Partial Coherent Light Theory[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2007,5(3):224-229. |
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| Authors: | LI Mu-jun SHEN Lian-guan ZHENG Jin-jin ZHAO Wei LI Xiao-guang LIU Li-ting |
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| Affiliation: | Department of Precision Machinery and Precision Instrumentation, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | proximity UV-lithography partial coherent light complex degree of coherence Hopkins formula pattern distortion |
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