| 掺硼浓度对金刚石薄膜微电极电化学氢化的影响 |
| |
| 引用本文： | 龙航宇,刘学璋,文魁,许伟. 掺硼浓度对金刚石薄膜微电极电化学氢化的影响[J]. 材料研究与应用, 2023, 17(6): 1109-1116 |
| |
| 作者姓名： | 龙航宇 刘学璋 文魁 许伟 |
| |
| 作者单位： | 1.广东省现代表面工程技术重点实验室/广东省科学院新材料研究所，广东 广州 510650;2.佛山科学技术学院 材料科学与氢能学院，广东 佛山 528000;3.江西科技师范大学材料与机电学院，江西 南昌 330038 |
| |
| 基金项目： | 广东省现代表面工程技术重点实验室开放课题项目（2020B1212060049）；广东省基础与应用基础-粤佛区域联合基金项目（2019A1515110934） |
| |
| 摘 要： | 硼掺杂金刚石（BDD）具有高的析氧电位、低的背景电流等优异的电化学性能，但其电化学传感特性易受掺硼浓度影响。采用热丝化学气相沉积法在微细钨丝上沉积BDD薄膜，在不同沉积温度（700和800 ℃）下改变掺硼浓度而制备了系列BDD微电极，研究了掺硼浓度对BDD微电极表面电化学氢化的影响。同时，采用扫描电子显微镜、Raman光谱分析薄膜形貌和成分，采用循环伏安法在铁氰化钾溶液中检测薄膜的表面状态和电化学性能。结果表明：高温会促进薄膜中硼的掺入，降低了薄膜质量；随着薄膜中硼浓度的增加，原生BDD电极的表面状态和电化学性能改变不大，但是会降低BDD微电极从氧端基恢复到氢端基的难度。
|
| 关 键 词： | 金刚石 掺硼浓度 电化学氢化 表面端基 |
| 收稿时间： | 2023-02-18 |
Effect of Boron Doping Concentration on Electrochemical Hydrogenation of Diamond Thin Film Microelectrodes |
| |
| LONG Hangyu,LIU Xuezhang,WEN Kui,XU Wei. Effect of Boron Doping Concentration on Electrochemical Hydrogenation of Diamond Thin Film Microelectrodes[J]. MATERIALS RESEARCH AND APPLICATION, 2023, 17(6): 1109-1116 |
| |
| Authors: | LONG Hangyu LIU Xuezhang WEN Kui XU Wei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | diamond borondoping concentration electrochemical hydrogenation surface termination |
|
| 点击此处可从《材料研究与应用》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料研究与应用》下载免费的PDF全文 |
