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氮化铜薄膜的结构与组成分析
引用本文:左安友,袁作彬,杨建平,李兴鳌.氮化铜薄膜的结构与组成分析[J].湖北民族学院学报(哲学社会科学版),2006,24(2):173-175.
作者姓名:左安友  袁作彬  杨建平  李兴鳌
作者单位:湖北民族学院理学院 湖北恩施445000
摘    要:采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为100]、111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少.

关 键 词:氮化铜薄膜  直流磁控溅射  X射线衍射  X射线光电子能谱
文章编号:1008-8423(2006)02-0173-03
修稿时间:2005年2月27日

Analysis of the Structures and Compounds of Copper Nitride Films
ZUO An-you,YUAN Zuo-bin,YANG Jian-ping,LI Xin-gao.Analysis of the Structures and Compounds of Copper Nitride Films[J].Journal of Hubei Institute for Nationalities(Natural Sciences),2006,24(2):173-175.
Authors:ZUO An-you  YUAN Zuo-bin  YANG Jian-ping  LI Xin-gao
Abstract:
Keywords:Cu_3N thin film  DC magnetron sputtering  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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