| 物理气相法制备AlN晶体 |
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| 引用本文： | 武红磊,郑瑞生,孙秀明. 物理气相法制备AlN晶体[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 武红磊 郑瑞生 孙秀明 |
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| 作者单位： | 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广东省自然科学基金，教育部科学技术基金，广东省深圳市科技计划 |
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| 摘 要： | 研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,AlN晶体的形态从晶须过渡到棱形晶粒.温度高于1950℃时,才能制备出颗粒状.AlN晶体.同时,研究了过饱和压对晶体生长的影响.目前,已经制备出直径为1mm的高质量的六棱柱形的.AlN单晶,最大的单晶体的直径达2mm.
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| 关 键 词： | 物理气相传输 AlN晶体 生长温度 |
Growth of AlN Crystals by PVT |
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| Wu Honglei,Zheng Ruisheng,Sun Xiuming. Growth of AlN Crystals by PVT[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Wu Honglei Zheng Ruisheng Sun Xiuming |
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