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| 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料 | |
| 引用本文： | 刘林生,王文新,刘肃,赵宏鸣,刘宝利,蒋中伟,高汉超,王佳,黄庆安,陈弘,周均铭.用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料[J].半导体学报,2007,28(9). |
| 作者姓名： | 刘林生 王文新 刘肃 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王佳 黄庆安 陈弘 周均铭 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京,100080;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 2. 中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京,100080 3. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 4. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目，国家自然科学基金，甘肃省自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件. |
| 关 键 词： | 分子束外延 砷化镓衬底 铝镓砷材料 |
Growth of AlGaAs on GaAs (110) Surface by Molecular Beam Epitaxy |
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| Liu Linsheng,Wang Wenxin,Liu Su,Zhao Hongming,Liu Baoli,Jiang Zhongwei,Gao Hanchao,Wang Jia,Huang Qing'an,Chen Hong,Zhou Junming.Growth of AlGaAs on GaAs (110) Surface by Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9). | |
| Authors: | Liu Linsheng Wang Wenxin Liu Su Zhao Hongming Liu Baoli Jiang Zhongwei Gao Hanchao Wang Jia Huang Qing'an Chen Hong Zhou Junming |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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