| 含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长 |
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| 引用本文： | 于广辉,雷本亮,孟胜,王新中,林朝通,齐鸣. 含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 于广辉 雷本亮 孟胜 王新中 林朝通 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金，上海市国际合作计划 |
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| 摘 要： | 研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.
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| 关 键 词： | 氮化镓 氢化物气相外延 低温氮化铝插入层 |
Hydride Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN with Low Temperature AlN Interlayers |
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| Yu Guanghui,Lei Benliang,Meng Sheng,Wang Xinzhong,Lin Chaotong,Qi Ming. Hydride Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN with Low Temperature AlN Interlayers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Yu Guanghui Lei Benliang Meng Sheng Wang Xinzhong Lin Chaotong Qi Ming |
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