| 场发射硅锥阵列的干法制备与研究 |
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| 引用本文： | 王芸,徐东,吴茂松,王莉,钱开友,叶枝灿,蔡炳初.场发射硅锥阵列的干法制备与研究[J].微细加工技术,2006(1):56-60. |
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| 作者姓名： | 王芸 徐东 吴茂松 王莉 钱开友 叶枝灿 蔡炳初 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030
2. Honeywell公司上海传感器实验室,上海,200030 |
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| 摘 要： | 阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm~35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。
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| 关 键 词： | 硅锥 干法刻蚀 场发射 |
| 文章编号： | 1003-8213(2006)01-0056-05 |
| 修稿时间： | 2005年6月10日 |
Fabrication of Silicon Tip Array in Field Emission Pressure Sensor by Reactive Ion Etching |
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| WANG Yun,XU Dong,WU Mao-song,WANG Li,QIAN Kai-you,YE Zhi-can,CAI Bing-chu.Fabrication of Silicon Tip Array in Field Emission Pressure Sensor by Reactive Ion Etching[J].Microfabrication Technology,2006(1):56-60. |
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| Authors: | WANG Yun XU Dong WU Mao-song WANG Li QIAN Kai-you YE Zhi-can CAI Bing-chu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RIE |
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