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| 薄试样的新Cliff—Lorimer因子的获得 | |
| 作者姓名： | 唐涛 张庶元 |
| 作者单位： | 中国科技大学基础物理中心，中国科技大学基础物理中心，中国科技大学结构中心 |
| 摘 要： | 利用薄试样标准单晶样品和纯元素样品如InP、ZnS、CdS、Bi_4Ge_3O_(12)、Y_3Al_5O_(12)、GaP、BaPbO_3、和Pt、Au、Sm_2O_3、Gd_2O_3、Dy_2O_3、Er_2O_3、Yb_2O_3、HfO_2、WO_3、Bi_2O_3等,在H-800电镜-EDAX射线能谱仪上,分别在100KV和200KV下测量标样不同标识X射线强度比或纯元素不同线系强度比,由下列公式得到一系列新的Cliff-Lorimer因子: |
| 关 键 词： | 半导体材料 薄试样 Cliff－Lorimer |
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