| 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型 |
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| 引用本文： | 贺威,张正选. 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型[J]. 功能材料与器件学报, 2010, 16(4) |
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| 作者姓名： | 贺威 张正选 |
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| 作者单位： | 深圳大学电子科学与技术学院,深圳,518060;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。
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| 关 键 词： | 埋氧层 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 模型 背栅 |
Modeling of radiation induced back channel threshold voltage shift of NMOS/SOI |
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| HE Wei,ZHANG Zheng-xuan. Modeling of radiation induced back channel threshold voltage shift of NMOS/SOI[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2010, 16(4) |
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| Authors: | HE Wei ZHANG Zheng-xuan |
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