| 基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究 |
| |
| 引用本文： | 谢应涛,欧阳世宏,王东平,朱大龙,许鑫,方汉铿.基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究[J].光电子技术,2014,34(4). |
| |
| 作者姓名： | 谢应涛 欧阳世宏 王东平 朱大龙 许鑫 方汉铿 |
| |
| 作者单位： | 上海交通大学电子工程系,上海200240;TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200240 |
| |
| 摘 要： | 一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数,然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提高,其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1。
|
| 关 键 词： | 有机薄膜晶体管 绝缘层界面修饰 电极界面修饰 |
High Performance Bottom-contact Organic Thin Film Transistors Using Chemically Modified Silver Contacts and Dielectric Surfaces |
| |
| XIE Yingtao,OUYANG Shihong,WANG Dongping,ZHU Dalong,XU Xin,FANG Hankeng.High Performance Bottom-contact Organic Thin Film Transistors Using Chemically Modified Silver Contacts and Dielectric Surfaces[J].Optoelectronic Technology,2014,34(4). |
| |
| Authors: | XIE Yingtao OUYANG Shihong WANG Dongping ZHU Dalong XU Xin FANG Hankeng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | organic thin film transistors chemically modified gate dielectric chemically modified bottom contacts |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
