| 5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器 |
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| 引用本文： | 李文渊, 顾洵,. 5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器[J]. 电子器件, 2008, 31(6) |
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| 作者姓名： | 李文渊 顾洵 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学集成电路学院,南京,210096 |
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| 摘 要： | 采用IBM 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器.功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度.输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现.在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7dB;1dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%.
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| 关 键 词： | 功率放大器 无线局域网 锗硅异质结双极型晶体管 自适应偏置 |
SiGe HBT Power Amplifier for 5 GHz WLAN |
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| LI Wen-yuan,GU Xun. SiGe HBT Power Amplifier for 5 GHz WLAN[J]. Journal of Electron Devices, 2008, 31(6) |
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| Authors: | LI Wen-yuan GU Xun |
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| Affiliation: | LI Wen-yuan1,GU Xun1,21.Institute of RF-& OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210096,China,2.School of Integrated Circuits |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power amplifier WLAN SiGe Heterojunction bipolar transistor(HBT) adaptive bias |
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