| 计及温度影响的SiC MOSFET芯片热网络建模 |
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| 引用本文： | 党晓圆,李洁,李辉,于仁泽. 计及温度影响的SiC MOSFET芯片热网络建模[J]. 电力电子技术, 2021, 55(7): 153-156. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.07.038 |
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| 作者姓名： | 党晓圆 李洁 李辉 于仁泽 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学移通学院,重庆 401520;输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,重庆大学,重庆 400044 |
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| 摘 要： | 针对雪崩工况下碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片温升大影响材料热参数变化,往往导致温度计算不准确的问题,提出计及材料热参数温度依赖性的芯片瞬态热网络模型.首先,分析SiC MOSFET芯片材料的温度依赖性,采用多项式拟合获取热参数随温度变化规律;其次,利用扫描电子显微镜获取SiC MO...
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| 关 键 词： | 金属-氧化物半导体场效应晶体管 雪崩工况 热网络 |
Thermal Network Modeling of SiC MOSFET Considering Temperature-dependent Thermal Parameters |
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| DANG Xiao-yuan,LI Jie,LI Hui,YU Ren-ze. Thermal Network Modeling of SiC MOSFET Considering Temperature-dependent Thermal Parameters[J]. Power Electronics, 2021, 55(7): 153-156. DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.07.038 |
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| Authors: | DANG Xiao-yuan LI Jie LI Hui YU Ren-ze |
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