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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性
作者姓名:
徐仲英
许继宗
李玉璋
郑宝真
徐俊英
庄蔚华
陈宗圭
作者单位:
中国科学院半导体研究所(徐仲英,许继宗,李玉璋,郑宝真,徐俊英,庄蔚华),中国科学院半导体研究所(陈宗圭)
摘 要:
本文报道微微秒激光脉冲激发下分子束外延(MBE)生长的GaAs-Ca_(0.6)Al_(0.4)As多量子阱异质结构的光荧光特性.同时观察到发生在n=1,2,3电子子能带和相应重空穴子能带之间的激子跃迁.实验数据和理论计算符合较好.在理论计算中,我们考虑了实际势阱的有限深度和GaAs Γ_s~c导带的非抛物线性质.用所述计算方法确定阱宽可达到相当满意的精度.
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