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| 增强型β-Ga2O3/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究 | |
| 作者姓名： | 王海林 栾苏珍 程梅霞 贾仁需 |
| 作者单位： | 1. 西安科技大学通信与信息工程学院;2. 西安市网络融合通信重点实验室;3. 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料与器件重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61974119,61834005); |
| 摘 要： | 由于β-Ga2O3材料难以形成P型掺杂,目前β-Ga2O3功率器件大多为无结耗尽型。为了解决β-Ga2O3器件难以形成增强型的问题,提出了一种具有β-Ga2O3/4H-SiC异质结的纵向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)。添加P型4H-SiC后,利用形成的PN结的单向导通性得到了正阈值电压,实现了增强型器件。使用Sentaurus TCAD仿真软件模拟了器件结构并研究了其电学特性,通过调节SiC厚度、SiC沟道浓度、外延层厚度和外延层浓度四个重要结构参数,对器件的功率品质因数进行优化设计。优化后的器件具有1.62 V的正阈值电压、39.29 mS/mm的跨导以及5.47 mΩ·cm2的比导通电阻。最重要的是器件的关态击穿电压达到了1838 V,功率品质因数高达617 MW/cm2。结果表明,该β-Ga2O3/... |
| 关 键 词： | β-Ga2O3 MOSFET 异质结 增强型 击穿电压 功率品质因数 |
