| 星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究 |
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| 引用本文： | 薛玉雄,田恺,曹洲,杨世宇,刘刚,蔡小五,陆江. 星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究[J]. 原子能科学技术, 2008, 42(12): 1125-1129. DOI: 10.7538/yzk.2008.42.12.1125 |
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| 作者姓名： | 薛玉雄 田恺 曹洲 杨世宇 刘刚 蔡小五 陆江 |
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| 作者单位： | 1. ;兰州物理研究所 ;真空低温技术与物理国防科技重点实验室，甘肃 ;兰州 730000； ;2. ;中国科学院 ;微电子研究所，北京 100029 ; |
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| 摘 要： | 针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062，利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统，在252Cf模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究。通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值，为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据。
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| 关 键 词： | 功率MOSFET器件 单粒子烧毁 锎源 |
| 收稿时间： | 2007-07-14 |
| 修稿时间： | 2008-04-29 |
Single-Event Burnout of Power MOSFET Devices for Satellite Application |
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| XUE Yu-xiong,TIAN Kai,CAO Zhou,YANG Shi-yu,LIU Gang,CAI Xiao-wu,LU Jiang. Single-Event Burnout of Power MOSFET Devices for Satellite Application[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2008, 42(12): 1125-1129. DOI: 10.7538/yzk.2008.42.12.1125 |
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| Authors: | XUE Yu-xiong TIAN Kai CAO Zhou YANG Shi-yu LIU Gang CAI Xiao-wu LU Jiang |
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| Affiliation: | 1. National Laboratory of Vacuum & Cryogenics Technology and Physics, ;Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou 730000, China； ;2. Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China ; |
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| Abstract: | Single-event burnout (SEB) sensitivity was tested for power MOSFET devices, JTMCS081 and JTMCS062, which were made in Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, using californium-252 simulation source. SEB voltage threshold was found for devices under test (DUT). It is helpful for engineers to choose devices used in satellites. |
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| Keywords: | power MOSFET device single-event burnout (SEB) californium-252 source |
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