| SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究 |
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| 引用本文： | 林成鲁,周伟,邹世昌,P.L.F.Hemment. SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究[J]. 半导体学报, 1990, 11(6): 470-474 |
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| 作者姓名： | 林成鲁 周伟 邹世昌 P.L.F.Hemment |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室，中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室，中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室，Department of Electronic and Electrical Engineering，University of surrey，Guildford，Surrey GU2，5XH，U.K. 上海，上海，上海 |
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| 摘 要： | 本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10~(20)/cm~3,获得了一种TiSi_2/n~+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。
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| 关 键 词： | SIMOX 薄膜 钛硅化物 半导体 |
Ti Silicide Formation on Thin Film SIMOX Material |
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| Lin Chenglu/Ion Beam Lcboratory. Ti Silicide Formation on Thin Film SIMOX Material[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(6): 470-474 |
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| Authors: | Lin Chenglu/Ion Beam Lcboratory |
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| Affiliation: | Lin Chenglu/Ion Beam Lcboratory,Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica,Shanghai 200050,ChinaZhou Wei/Ion Beam Lcboratory,Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica,Shanghai 200050,ChinaZou Shichang/Ion Beam Lcboratory,Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica,Shanghai 200050,ChinaP. L. F. Hemment/Department of Electronic and Electrical Engineering,University of Surrey,Guildford,Surrey GU2 5XH,U. K. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Thin film SIMOX metarial TiSi_2 As pileup |
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