| CdZnTe晶体的缺陷能级分析 |
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| 引用本文： | 韦永林,朱世富,赵北君,王瑞林,高德友,魏昭荣,李含东,唐世红.CdZnTe晶体的缺陷能级分析[J].人工晶体学报,2004,33(2):189-191. |
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| 作者姓名： | 韦永林 朱世富 赵北君 王瑞林 高德友 魏昭荣 李含东 唐世红 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目，四川省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.
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| 关 键 词： | CZT单晶体 I-T特性曲线 激活能 探测器 缺陷能级 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)02-0189-03 |
Analysis of the Defect Energy Level of CdZnTe Single Crystal |
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| WEI Yong-lin,ZHU Shi-fu,ZHAO Bei-jun,WANG Rui-lin,GAO De-you,WEI Zhao-rong,LI Han-dong,TANG Shi-hong.Analysis of the Defect Energy Level of CdZnTe Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(2):189-191. |
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| Authors: | WEI Yong-lin ZHU Shi-fu ZHAO Bei-jun WANG Rui-lin GAO De-you WEI Zhao-rong LI Han-dong TANG Shi-hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CZT single crystal I-T curve activation energy detector defect energy level |
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