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| Ta2O5氢离子敏感薄膜的研究 | |
| 作者姓名： | 韩泾鸿 李亚亭 |
| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所 |
| 基金项目： | 国家基金，传感器联合开放实验室的支持 |
| 摘 要： | 一、引言随着 H~+—ISFET 的理论研究的深入,人们越来越认识到作为敏感栅的介质膜对器件的灵敏度、响应时间、线性范围、稳定性等是至关重要的。目前对 H~+敏无机薄膜的研究十分活跃。广泛开展了 SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3、Ta_2O_5、ZrO_2、TiO_2、IrO、PtO等许多材料的研究。松尾正之评述薄膜的 H~+选择性是 SiO_2 |
| 关 键 词： | 敏感膜 薄膜 氢离子 氧化钽 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
