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| SOI SRAM测试研究 | |
| 引用本文： | 赵琳娜,王春早,宿吉伟,陶建中.SOI SRAM测试研究[J].微计算机信息,2007,23(17):285-286,292. |
| 作者姓名： | 赵琳娜 王春早 宿吉伟 陶建中 |
| 作者单位： | 1. 214036,江苏无锡,江南大学信息工程学院 2. 518033,广东深圳,武警广东公安边防总队,深圳指挥部 3. 214035,江苏无锡,中国电子科技集团,第五十八研究所 |
| 摘 要： | SOI（绝缘体上硅）静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码. |
| 关 键 词： | 绝缘体上硅(SOI) 部分耗尽(PD) 静态存储器 故障模型 测试码 |
| 文章编号： | 1008-0570（2007）06-2-0285-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-232007-05-25 |
A study on SOI SRAM Testing |
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| ZHAO LINNA,WANG CHUNZAO,SU JIWEI,TAO JIANZHONG.A study on SOI SRAM Testing[J].Control & Automation,2007,23(17):285-286,292. | |
| Authors: | ZHAO LINNA WANG CHUNZAO SU JIWEI TAO JIANZHONG |
| Affiliation: | 1.Information Engineering Institute,Southern Yangtze University,Wuxi,Jiangsu 214036,P.R.China;2.Shenzhen Command Department Police,Defence Police of Guangzhou,Shenzhen,Guangdong 518033,P.R.China;3.The 58th Research Institute,China Electronics Technology Group Corp.,Wuxi,Jiangsu 214035,P.R.China |
| Abstract: | The characteristics of SOI SRAMs are different from those fabricated in traditional bulk silicon. When testing for SOI SRAMs, fault models should be considered carefully. Base on the discussion of floating effect and BJT effect, SRAM design and test considerations are described, and a corresponding test pattern is proposed. |
| Keywords: | silicon- on- insulator(SOI) partially depleted (PD) SRAM fault model test pattern |
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