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| InP 的合成晶体生长及特性 | |
| 作者姓名： | R.Coquille 徐永强 |
| 摘 要： | 本文提出了 InP 的合成和晶体生长的结果。合成是通过高压梯度冷凝法完成的,单晶生长则用 LEC 技术,对实验生长条件,即温度梯度和氧化硼含水量进行了讨论。根据这些实验结果,在〈111〉和〈100〉晶向已生长出非掺杂(N_D-N_A<10~(16)cm~(-3)),掺 Sn(10~(17) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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