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| 浙江大学一九八二年攻读材料科学硕士学位研究生入学试题(中) | |
| 摘 要： | 半导体物理一作图和回答下列问翅四、 1.在图1所示的立方晶格中.作出《111}晶面组合图, 并指明相应的晶面指数;再作出(110)晶面. 2.晶向为(11幻的硅单晶体.经化学腐蚀后.在(111)五、 图面上呈现出等边三角形的位错皮蚀坑,试在此晶 面上作出{111}的定位面(图2)。六、 l 尹..,l 图1图2 3.求面心立方晶体的侧格子结构. 4.画出金刚石结构的晶饱,并指出一个晶饱含几个原 子。 5.写出金刚石结构的第一布里渊区与(111)轴.(1。。〕 轴、〔11。〕轴的文点倒格矢‘二.已知两种级流子温差电势率为:护。一枉(二飞二、t、。l。丛一pz。N· 资 q、on丫F,n… |
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