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| 温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响 | |
| 引用本文： | 万小涵,张广清,Oleg Ostrovski,Hal Aral.温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响[J].中国工程科学,2015,17(1):62-66. |
| 作者姓名： | 万小涵 张广清 Oleg Ostrovski Hal Aral |
| 作者单位： | 1. 澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院，悉尼2052 2. 澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院，卧龙岗2522 3. 澳大利亚维多利亚大学可持续发展与创新研究院，墨尔本 3030 |
| 摘 要： | 碳热还原/氮化合成Si3N4在1 300~1 600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶Si O2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测,样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得,混合物各相由X射线衍射(XRD)检测。Si O2还原反应在1 300℃以下开始,速率随温度升高增大;温度高于1 570℃时,速率因反应物表面被生成物覆盖降低。由于还原产物CO平衡分压差别小,选择生成Si3N4或Si C的临界温度不明显。碳热还原/氮化法合成氮化硅的原理需进一步探讨。 |
| 关 键 词： | 碳热还原/氮化法 临界温度 生成物选择性 CO平衡分压 |
| 收稿时间： | 2014/10/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/12/4 0:00:00 |
Temperature effect on carbothermal reduction and nitridation synthesis of silicon nitride |
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| Wan Xiaohan,Zhang Guangqing,Oleg Ostrovski and Hal Aral.Temperature effect on carbothermal reduction and nitridation synthesis of silicon nitride[J].Engineering Science,2015,17(1):62-66. | |
| Authors: | Wan Xiaohan Zhang Guangqing Oleg Ostrovski and Hal Aral |
| Abstract: | |
| Keywords: | carbothermal reduction and nitridation boundary temperature selectivity of products equilibrium CO partial pressure |
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