| 薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟 |
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| 引用本文： | 杨恢东,侯信,吴春亚,熊绍珍,郝云,陈有素,郭斌.薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟[J].半导体学报,2002,23(8):846-851. |
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| 作者姓名： | 杨恢东 侯信 吴春亚 熊绍珍 郝云 陈有素 郭斌 |
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| 作者单位： | 1. 南开大学光电子所,天津,300071；五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门,529020;2. 天津大学材料学院,天津,300072;3. 南开大学光电子所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876022,60077011,69907002; |
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| 摘 要： | 设计了一种将薄膜a-SiPIN光敏传感单元与OLED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟.结果表明:器件驱动电压的降低主要通过增大OLED的幂指数因子实现;薄膜a-Si PIN的灵敏度对器件灵敏度有决定性的影响;降低a-Si PIN隙态密度能有效地展宽器件的线性响应区域;器件应用领域的不同,对a-SiPIN的并联等效电阻的大小有不同的要求.
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| 关 键 词： | 非晶硅PIN传感单元 有机发光显示单元 电流耦合 光-光转换 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)08-0846-06 |
| 修稿时间： | 2001年9月28日 |
Design and Simulation of a-Si PIN/OLED Sensor/Display Device |
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| Yang Huidong ,Hou Xin ,Wu Chunya ,Xiong Shaozhen ,Hao Yun ,Chen Yousu and Guo Bin.Design and Simulation of a-Si PIN/OLED Sensor/Display Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(8):846-851. |
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| Authors: | Yang Huidong Hou Xin Wu Chunya Xiong Shaozhen Hao Yun Chen Yousu and Guo Bin |
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| Affiliation: | Yang Huidong 1,2,Hou Xin 3,Wu Chunya 1,Xiong Shaozhen 1,Hao Yun 1,Chen Yousu 1 and Guo Bin 1 |
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| Abstract: | A novel optical image sensor/display device composed by integrating an a-Si PIN photodiode connected in series but in opposite polarity with an organic light-emitting diode (OLED) is designed and simulated.From the theoretical analysis,following conclusions are obtained:(1) Increasing the power index of OLED can lower the device's drive voltage;(2) The sensitivity of device mainly depends on the a-Si PIN unit;(3) Decreasing the density of gap state in a-Si PIN can effectively broaden the linear response range of the device;(4) Furthermore,it is necessary to choose different shunt resistance of a-Si PIN for different purpose. |
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| Keywords: | a-Si PIN sensor unit OLED display unit current-coupling light-light conversion |
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