| Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究 |
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| 引用本文： | 周慧梅,沈波,陈敦军,陈堂胜,焦刚,郑有炓.Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究[J].稀有金属,2004,28(3):487-490. |
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| 作者姓名： | 周慧梅 沈波 陈敦军 陈堂胜 焦刚 郑有炓 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093
2. 信息产业部南京电子第五十五所,江苏,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金 ( 60 3 2 5 413 )，国家“973”计划 (G2 0 0 0 0 683 )，国家自然科学基金 ( 60 13 60 2 0 )，国家“863”计划
( 2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4)，教育部博士点基金 ( 2 0 0 2 2 0 2 840 2 3 )资助项目 |
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| 摘 要： | 研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在退火温度低于 70 0℃时 ,两种接触样品上都不能得到欧姆接触。随着退火温度的升高 ,85 0℃快速退火后 ,在Ti/Al/Ni/Au接触上获得了 1.2 6×10 - 6 Ω·cm2 的比接触电阻率 ,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了 1.97× 10 - 5Ω·cm2 的比接触电阻率。研究结果表明 ,金属与半导体接触界面和Al0 .2 2 Ga0 .78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用 ,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程。对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释。
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| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物 欧姆接触 异质结构 势垒 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0487-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月15日 |
Ti/Al/Ni/Au and Ti/Al/Pt/Au Multi-Layer Ohmic Contacts on AlxGa1-xN/GaN Heterostructures |
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| Zhou Huimei,Shen Bo.Ti/Al/Ni/Au and Ti/Al/Pt/Au Multi-Layer Ohmic Contacts on AlxGa1-xN/GaN Heterostructures[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(3):487-490. |
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| Authors: | Zhou Huimei Shen Bo |
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| Affiliation: | Zhou Huimei~1,Shen Bo~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | N materials ohmic contact heterostructure barried |
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