| 垂直电极结构GaN基发光二极管的研制 |
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| 引用本文： | 康香宁,包魁,陈志忠,徐科,章蓓,于彤军,聂瑞娟,张国义. 垂直电极结构GaN基发光二极管的研制[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 康香宁 包魁 陈志忠 徐科 章蓓 于彤军 聂瑞娟 张国义 |
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| 摘 要： | 利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.
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| 关 键 词： | GaN LED 激光剥离 金属合金键合 垂直电极 电极结构 发光二极管 Light Based Electrode Structure 光功率 饱和电流 器件 特性表 测试 大面积均匀 键合过程 剥离 芯片 问题 结合 材料 合金化 金属 力的释放 |
Vertical Electrode Structure GaN Based Light Emitting Diodes |
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| Kang Xiangning,Bao Kui,Chen Zhizhong,Xu Ke,Zhang Bei,Yu Tongjun,Nie Ruijuan,Zhang Guoyi. Vertical Electrode Structure GaN Based Light Emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Kang Xiangning Bao Kui Chen Zhizhong Xu Ke Zhang Bei Yu Tongjun Nie Ruijuan Zhang Guoyi |
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