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| 高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质 | |
| 引用本文： | 杨德仁,阙端麟.高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质[J].半导体学报,1996,17(1):71-75. |
| 作者姓名： | 杨德仁 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料科学国家重点实验室 |
| 摘 要： | 利用低温红外光谱技术（８Ｋ），研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温１３００℃退火时的性质，实验指出，在此高温退火时，硅单晶中的原生氮－氧复合体被逐渐分解，氮杂质以很高的扩散速率，迅速外扩散 |
| 关 键 词： | 高温退火 硅 单晶硅 氧 氮 杂质 退火 |
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