CdO掺杂对BaTiO3基半导化陶瓷PTCR效应的改善 |
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作者姓名: | 齐建全 李龙土 朱青 王永力 桂治轮 |
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作者单位: | 清华大学材料系,;清华大学材料系,;清华大学材料系,;清华大学材料系,;清华大学材料系, |
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摘 要: | 钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂切相关,蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应。CdO在高温下具有较高的蒸汽压,是一种适用的蒸汽掺杂剂,研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y^3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响,结果首次发现了Cd^2+掺杂样品的PTCR效应都有不同程度的提高,采用蒸汽掺杂时,效果更为显著。现有的理论很难解释Cd^2+掺杂能够提高钛酸钡基材料PTCR效应。我们从缺陷化学的角度,分析了Cd^2+在BaTiO3基材料中的行为,推断表明这种现象可能是由于铁电相变时,处于晶界区的Cd^2+在Ba位和Ti位之间转换造成的。
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关 键 词: | 镉 钛酸钡 正温度系数热敏电阻 |
修稿时间: | 2000-08-02 |
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