| 电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y） |
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| 引用本文： | 曾庆科,曾宪富. 电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）[J]. 半导体光电, 1995, 0(2) |
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| 作者姓名： | 曾庆科 曾宪富 |
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| 作者单位： | 广西师范大学物理系(曾庆科)，华南理工大学物理系(曾宪富) |
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| 摘 要： | 用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。
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| 关 键 词： | 半导体材料，液相外延生长，材料制备，半导体薄膜 |
Current-controlled LPE growth of In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y) |
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| ZENG Qingke. Current-controlled LPE growth of In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1995, 0(2) |
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| Authors: | ZENG Qingke |
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| Abstract: | In1-xGaxAsyP1-ylayers with composition in the range of 0.30
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| Keywords: | Semiconductor Materials Liquid Phase Epitaxy Growth Materials Preparation Semiconductor Thin Films |
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