| 正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究 |
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| 引用本文： | 唐恒敬,吕衍秋,吴小利,张可锋,李雪,龚海梅.正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究[J].激光与红外,2007,37(Z1). |
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| 作者姓名： | 唐恒敬 吕衍秋 吴小利 张可锋 李雪 龚海梅 |
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| 摘 要： | 首先介绍了InGaAs台面探测器的研究进展,然后为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面InGaAs探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的Ⅰ-Ⅴ、信号和响应光谱.测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.1×1011 cm·Hz1/2·W-1,背照射下器件的平均峰值探测率为4.0×1011 cm·Hz1/2·W-1,但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止.
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| 关 键 词： | 探测器 InGaAs 探测率 钝化 照射 InGaAs 探测器 性能 研究 Detectors Comparision 波方向 峰值探测率 差别 响应光谱 情况 测试结果 信号 工艺 抛光 电极 通过台 外延材料 双异质结 |
Performance Comparision of Front-illuminated and Back-illuminated InGaAs Detectors |
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| TANG Heng-jing,L Yan-qiu,WU Xiao-li,ZHANG Ke-feng,LI Xue,GONG Hai-mei.Performance Comparision of Front-illuminated and Back-illuminated InGaAs Detectors[J].Laser & Infrared,2007,37(Z1). |
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| Authors: | TANG Heng-jing L Yan-qiu WU Xiao-li ZHANG Ke-feng LI Xue GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | TANG Heng-jing,L(U) Yan-qiu,WU Xiao-li,ZHANG Ke-feng,LI Xue,GONG Hai-mei |
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