| SiC薄膜的阻氚性能研究 |
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| 引用本文： | 杜良,但贵萍,曾俊辉.SiC薄膜的阻氚性能研究[J].核技术,2009,32(1). |
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| 作者姓名： | 杜良 但贵萍 曾俊辉 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国防科工委核设施退役资助项目 |
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| 摘 要： | 在不锈钢基体表面用离子束混合技术沉积SiC薄膜,然后用能量为5 keV的H+对其辐照直至剂量达到1×1018/cm2,再用二次离子质谱分析(SIMS)分析H+在SiC薄膜中深度分布和正离子谱,研究薄膜的阻氢性能和阻氢机理;最后采用渗透实验对涂覆在不锈钢基体表面的SiC材料的氚渗透系数进行测试,对其阻氚性能进行验证.结果表明,在不锈钢基材表面涂覆的SiC薄膜具有良好的阻氢性能,可将氚的渗透率降低4个数量级以上,SiC薄膜的阻氢是由于氢与薄膜中的硅、碳悬挂键反应形成诸如C-H、C-H2、C-H3、Si-H、Si-H2和Si-H3引起的.
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| 关 键 词： | SiC薄膜 氚渗透 阻氚 不锈钢 |
The retarding effects of SiC films on tritium permeation |
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| DU Liang,DAN Guiping,ZENG Junhui.The retarding effects of SiC films on tritium permeation[J].Nuclear Techniques,2009,32(1). |
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| Authors: | DU Liang DAN Guiping ZENG Junhui |
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| Affiliation: | Institute of Nuclear Physics and Chemistry;China Academy of Engineering Physics;Mianyang 621900;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC films Tritium infiltration Tritium resistance Stainless steel |
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