| 不同淀积温度多晶硅纳米薄膜的压阻特性 |
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| 引用本文： | 揣荣岩,刘晓为 潘慧艳 王蔚 张颍.不同淀积温度多晶硅纳米薄膜的压阻特性[J].传感技术学报,2006,19(5):1810-1814. |
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| 作者姓名： | 揣荣岩 刘晓为 潘慧艳 王蔚 张颍 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳,110023
2. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 重掺杂多晶硅纳米薄膜具有较大的应变系数和良好的温度特性,是制作力学量传感器的理想压阻材料.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻特性,就淀积温度对低压化学气相淀积多晶硅纳米薄膜的压阻特性的影响进行了实验研究.在扫描电镜观测和X射线衍射实验基础上,利用隧道压阻模型分析了薄膜结构和压阻特性的关系.结果表明薄膜结构对应变系数的影响非常显著,但对应变系数的温度特性影响却很小.综合淀积温度对压阻特性和电导特性的影响,多晶硅纳米薄膜的最佳淀积温度在620℃左右.
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| 关 键 词： | 多晶硅 纳米薄膜 压阻特性 淀积温度 应变系数 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1810-05 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
Piezoresistive Properties of Poly-Si Nanofilms Deposited at Different Temperatures |
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| Rongyan Chuai,Xiaowei Liu,Huiyan Pan,Wei Wang,Ying Zhang.Piezoresistive Properties of Poly-Si Nanofilms Deposited at Different Temperatures[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1810-1814. |
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| Authors: | Rongyan Chuai Xiaowei Liu Huiyan Pan Wei Wang Ying Zhang |
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| Affiliation: | 1. MEMS Center, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 China)
(2. Information science and Engineering school, Shenyang University of Technology, Shenyang 110023 China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polysilicon nanofilm piezoresistive properties deposition temperature gauge factor |
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