| C离子注入Si中Si1-xCx合金的形成及其稳定性 |
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| 引用本文： | 王引书,李晋闽,金运范,王玉田,孙国胜,林兰英.C离子注入Si中Si1-xCx合金的形成及其稳定性[J].科学通报,2000,45(16):1709-1713. |
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| 作者姓名： | 王引书 李晋闽 金运范 王玉田 孙国胜 林兰英 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理系,北京,100875
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
3. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 利用离子注入和高温退火的方法在Ｓｉ中生长了Ｃ含量为０．６％～１．０％的Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，研究了不同注入剂量下Ｓｉ１－ｘＣｘ合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Ｓｉ非晶化的剂量，８５０℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与Ｃ原子结合形成缺陷团簇，难于形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，随着注入Ｃ离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，但注入的剂量增大到一定程度，Ｓｉ１－
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| 关 键 词： | 离子注入 稳定性 高温退火 硅 碳 硅碳合金 形成 |
| 收稿时间： | 2000-02-09 |
| 修稿时间： | 2000-05-20 |
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