| 射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究 |
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| 引用本文： | 金桂,周继承.射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究[J].武汉理工大学学报,2006,28(8):12-15. |
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| 作者姓名： | 金桂 周继承 |
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| 作者单位： | 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明：薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小，稍有增加后再缓慢减小，而随溅射功率的增加几乎呈线性增长；薄膜表面均匀，平均粗糙度分别为1．740nm（100W）和2．914nm（300W），有随溅射功率的增加而增加的趋势；薄膜的折射率随着溅射气氛中氧气含量的增加而增加，最后稳定于1．46不变；薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先缓慢增加，然后缓慢减小，通过800℃／100s的快速热处理，薄膜的电击穿场强明显升高。
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| 关 键 词： | 磁控射频反应溅射 电击穿场强 沉积速率 表面形貌 |
| 文章编号： | 1671-4431(2006)08-0012-04 |
| 修稿时间： | 2006年3月27日 |
Fabrication and Properties of Silicon Dioxide Film Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| JIN Gui,ZHOU Ji-cheng.Fabrication and Properties of Silicon Dioxide Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Journal of Wuhan University of Technology,2006,28(8):12-15. |
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| Authors: | JIN Gui ZHOU Ji-cheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive RF magnetron sputtering breakdown voltage deposition rate morphologies |
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