| 分子束外延CdTe（211）B／Si复合衬底材料 |
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| 引用本文： | 陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力.分子束外延CdTe（211）B／Si复合衬底材料[J].红外与毫米波学报,2005,24(4):245-249. |
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| 作者姓名： | 陈路 王元樟 巫艳 吴俊 于梅芳 乔怡敏 何力 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心及国家红外物理重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100864
2. 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心及国家红外物理重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院上海技术物理研究所创新资助项目,国家基金创新群体项目（60221502）,致谢本项工作得到上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心徐非凡、王正官、方维政、贺志良、杨建荣、杜美蓉的技术支持,作者表示衷心感谢. |
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| 摘 要： | 报道了用MBE的方法，在3英寸Si衬底上制备ZnTe／CdTe（211）B复合衬底材料的初步研究结果，该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长．经过Si（211）衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究，用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe／CdTe（211）B复合衬底材料．CdTe厚度大于10μm，XRD FWHM平均值为120arc sec，最好达到100arc sec，无（133）孪晶和其他多晶晶向．
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| 关 键 词： | 分子束外延 碲化镉 硅基 |
| 文章编号： | 1001-9014（2005）04-0245-05 |
| 收稿时间： | 2004-07-07 |
| 修稿时间： | 2004年7月7日 |
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF CdTe(211)B COMPOSITE SUBSTRATES ON SILICON |
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| Chen Lu;Wang YuanZhang;Wu Yan;Wu Jun;Yu MeiFang;Qiao YiMin;He Li.MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF CdTe(211)B COMPOSITE SUBSTRATES ON SILICON[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2005,24(4):245-249. |
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| Authors: | Chen Lu;Wang YuanZhang;Wu Yan;Wu Jun;Yu MeiFang;Qiao YiMin;He Li |
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| Abstract: | The preliminary results on molecular beam epitaxial growth of ZnTe/CdTe(211)B composite substrates on silicon for HgCdTe FPAs applications were described. Si/ZnTe/CdTe(211)B composite substrate on 3-inch Si was obtained by the improvements in low temperature treatment on Si(211), low temperature ZnTe nucleation, high temperature annealing as well as high temperature ZnTe or CdTe growth. (133) twin-free CdTe (211)B layers were obtained. The CdTe thickness was larger than 10 μm. An averaged XRD FWHM of 120 arc sec with a minimum value of 100 arc sec was achieved. |
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| Keywords: | MBE CdTe Si substrate |
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