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| HVIC中的高压器件：RESURF结构LDMOSFET | |
| 引用本文： | 徐家权,朗金荣.HVIC中的高压器件：RESURF结构LDMOSFET[J].浙江大学学报(自然科学版 ),1993,27(1):26-34. |
| 作者姓名： | 徐家权 朗金荣 |
| 作者单位： | 浙江大学信电系 (徐家权，叶润涛)，八七一厂 (郎金荣)，浙江大学信电系(朱大中) |
| 基金项目： | 浙江省科委自然科学基金 |
| 摘 要： | RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,设计了一个包含有NPN,PNP晶体管及不同漂移区长度的RESURF试验模型,并进行了工艺流片,获得了耐压为350V与低压双极器件相兼容的高压RESURF结构的LDMOSFET。 |
| 关 键 词： | 高压器件 高压IC 功率IC HVIC |
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