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| 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计 | |
| 引用本文： | 姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇.基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计[J].半导体学报,2007,28(4). |
| 作者姓名： | 姚小江 李宾 陈延湖 陈小娟 魏珂 李诚瞻 罗卫军 王晓亮 刘丹 刘果果 刘新宇 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029 2. 四川龙瑞微电子有限公司,成都,610041 3. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院重点创新工程项目 |
| 摘 要： | 研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%. |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 功率合成器 混合集成电路 微波功率放大器 |
AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band |
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| Yao Xiaojiang,Li Bin,Chen Yanhu,Chen Xiaojuan,Wei Ke,Li Chengzhan,Luo Weijun,Wang Xiaoliang,Liu Dan,Liu Guoguo,Liu Xinyu.AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4). | |
| Authors: | Yao Xiaojiang Li Bin Chen Yanhu Chen Xiaojuan Wei Ke Li Chengzhan Luo Weijun Wang Xiaoliang Liu Dan Liu Guoguo Liu Xinyu |
| Abstract: | A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10 × 120 μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at VDS = 40V, IDS = 0.9A, a maximum CW output power of 41.4dBm with a maximum power added efficiency (PAE) of 32.54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5.4GHz. |
| Keywords: | AlGaN/GaN HEMTs power combining MIC power amplifiers |
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