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电阻栅MOSFET及其应用
作者姓名:张万鹏
作者单位:复旦大学电子工程系集成电路CAD研究室
摘    要:介绍了RGMOSFET的基本原理,以及它的器件结构和伏安特性,提出了它的互补结构,分析其输出特性,并简单介绍了其应用前景。

关 键 词:伏安特性 互补结构 栅场效应晶体管 电阻
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